미(美) 대중(對中) 'GAA/HBM' 규제 시행되면 한국(韓國)에 타격

미(美) 대중(對中) 'GAA/HBM' 규제 시행되면 한국(韓國)에 타격

미국의 중국에 대한 반도체 수출 규제의 다음 영역으로 꼽히는 것이 최첨단 GAA(Gate-All-Around) 반도체 제조기술이다. GAA는 현재 최첨단 반도체 디바이스(device) 제조에 사용되고 있는 FinFET 기술의 후속 기술로서 널리 인정받고 있지만, Bloomberg의 보도에 따르면, 미국은, 중국 기업이 이 기술에 접근하는 것을 제한하는 조치를 검토하고 있다고 한다.

HBM은 TSV(through-silicon vias)라고 하는 수직 채널을 사용하여 DRAM을 적층하는 하이엔드 메모리다[클릭으로 확대] 出所：Samsung Electronics

◆ GAA에서 앞서가는 Samsung
GAA는 GAA FET라고도 하며 FinFET 기술에서 사용되는 수직핀을 수평 시트 스택으로 대체한다. 이 GAA 구조는 구동 전류를 증가시키면서 누설 전류를 더욱 줄이기 때문에 트랜지스터 밀도를 높여 전력/성능면에서의 장점이 있다고 한다.

영국은 2024년 3월 중국 기업에 대해 GAA 트랜지스터 기술에 관한 규제를 부과했다. 그리고 현재 블룸버그 소식통에 따르면 미국과 동맹국들도 2024년 여름 영국을 따라 GAA 기술 관련 규제를 부과할 전망이라고 한다.

그러나 이 같은 접근규제는 아직 최종 결정되지 않았다. 그 주된 이유는 초기판의 내용은 매우 광범위하다고 생각되기 때문이다. 이 같은 규제가 중국이 GAA 기술을 독자개발하는 것을 막기 위한 것인지, 아니면 미국과 동맹국의 반도체 제조업체가 GAA 기반의 반도체 칩을 중국 기업에 판매하는 것을 막기 위한 것인지가 명확하게 구분되지 않고 있는 것이다.

이 문제와 관련해 미국의 동맹국 가운데 주목할 만한 존재가 한국이다. Samsung Foundry(이하 Samsung)는 3nm 공정 노드를 적용해 GAA 제조기술을 상용화한 선구적 업체다. 한편 인텔은 2024년 후반 발표 예정인 'Intel 20A' 노드에서 GAA 트랜지스터 아키텍처를 구현할 예정이다. 또한 TSMC는 2026년에 실용화를 예정하고 있는 2nm 프로세스 노드에서 GAA 기술을 채택할 예정이다.

삼성이 GAA 반도체 제조 아키텍처에서 앞서고 있기 때문에, 한국이 이 건에 대해 어떻게 대응하는지를 판단하는 것은 흥미롭다. 또한 주목할 만한 것은 블룸버그는 보도 속에서 익명의 소식통을 인용하고 있어 논란이 비공개임을 강조하고 있었다는 점이다.

◆ HBM의 규제도 중심이 되는 것은 대한민국
한국과 그 기술분야의 주역인 삼성이 GAA에 관한 수출규제 문제의 중심에 설 것으로 보이지만 블룸버그의 보도로 중국에 대한 HBM(광대역폭 메모리) 칩 수출 제한에 대해서도 초기 단계의 논의가 일부 진행되고 있는 것으로 밝혀졌다. HBM칩 공급업체 3곳 중 2곳이 한국 업체이기 때문에 한국은 또 다른 기술수출 분쟁에서도 중심에 놓이게 될 것이다.

Samsung과 SK hynix는 현재, 미국의 메모리 메이커 Micron Technology와 함께, 이러한 하이엔드 메모리 칩을 제조하고 있다. 이러한 칩은, AI(인공지능) 프로세서와 조합하면서, AI 애플리케이션에 대해 중요한 역할을 담당하는 것으로 보인다. HBM 칩에 대한 새로운 규제는 한국의 첨단기술 관련 수출에 큰 영향을 줄 가능성이 있다.

미국에 의한 중국 기업의 반도체 기술 수출규제는 네덜란드 ASML을 제외하고, 대부분 미국 반도체 업체에 영향을 받고 있지만 현재 한국이 GAA 및 HBM 기술에 대한 잠재적 규제의 화살을 맞고 있는 것이다.

블룸버그 보도가 지적하듯 최종 결정은 아직 내려지지 않았다. 그러나 이러한 수출규제, 특히 삼성과 SK하이닉스가 시장의 90% 가까이를 차지하는 HBM칩에 관한 수출규제에 대해 한국의 기술/무역당국이 어떻게 대응할지는 흥미롭다.

미국 EE Times의 기사를 정리, 편집한 것이다.

*재미있거나 도움이 되셨다면 '구독' 꾹 눌러 주시기를 부탁드립니다. 늘 행복하세요.